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  • 商品名称: 无压烧结碳化硅加碳
  • 商品编号: 103
  • 上架时间: 2012-09-13
  • 浏览次数: 1310

无压烧结碳化硅加碳(SSiC+C)

    无压烧结碳化硅加碳材料是有Si-C强共价键构成的原子晶体和柔性碳在2100℃真空烧结炉烧结而成。无压烧结碳化硅加碳具有原来无压碳化硅材料耐强腐蚀性、耐磨性、高导电性、高温稳定性等性能,而且加入碳后增加了自润滑性和降低摩擦系数,更适用于瞬间干摩擦和长期半干摩擦的工况条件下,在新能源、化工、船舶及科研国防军事技术等领域应用。

 

 

 

特点

无压烧结碳化硅加碳材料晶体相图,在材料平整光滑的断切面经过化学处理,在200X光学显微镜下的晶体和碳(含量5-10%)的分布均匀,大小均匀,结合致密。

无压烧结碳化硅加碳材料技术参数

Sintered Silicon Carbide+Graphite Technical Data

项目

Operating Limits

单位

Units

SSiC+C

体积密度

Volume Density

g/cm³ 2.95~3.05

洛氏硬度

Rockwell hardness

HRA 90

显气孔率

Indicated Parosity

% <0.2

抗压强度

Compressive Strength

Mpa 1500

抗拆强度

Flexural Strength

Mpa 250

碳化硅原料纯度

Purity(SIC Percentage)

% 99

弹性模量

Elastic Modulus

GPa 300

导热系数

Thermal Conductivity

W/mK 120

最高使用温度

Maximum Temperature

1500

热膨胀系数

Coefficient Of Heat Expansion

10 -61/℃ 3.0

柔性碳

Graphite

5~10
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