产品展示
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  • 商品名称: 无压烧结碳化硅
  • 商品编号: 101
  • 上架时间: 2012-09-12
  • 浏览次数: 7625

无压烧结碳化硅(SSiC)

    无压烧结碳化硅是通过无压烧结亚微米碳化硅粉末在2100℃真空烧结炉烧结而成。由于其单相细晶结构在高温下也能保持高强度,SSiC产品高纯度和高密度使其具有很强的抗腐蚀性,其出色的表面光洁度特性使其非常适合应用在机械密封面、阀、轴承和石油、化工、航天、汽车等领域。

 

 

 

特点

无压烧结碳化硅材料经过腐蚀后,在200X光学显微镜下的晶相图,显示晶体的分布、大小均匀,最大的晶体不超过10μm。

无压烧结碳化硅材料技术参数

Sintered Silicon Carbide Technical Data

项目

Operating Limits

单位

Units

SSiC
体积密度

Volume Density

g/cm³ 3.10~3.15

硬度

Hardness

HV0.5 2600
显气孔率

Indicated Parosity

% <0.2
抗压强度

Compressive Strength

Mpa 2200
抗拆强度

Flexural Strength

Mpa 400
碳化硅原料纯度

Purity(SIC Percentage)

% 99
弹性模量

Elastic Modulus

GPa 400
导热系数

Thermal Conductivity

W/mk 90~110
最高使用温度

Maximum Temperature

1600
热膨胀系数

Coefficient Of Heat Expansion

10 -61/℃ 4.0
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