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  • 商品名称: 反应烧结碳化硅
  • 商品编号: 102
  • 上架时间: 2012-09-12
  • 浏览次数: 1880

反压烧结碳化硅(SiC)

    反应烧结碳化硅是通过反应烧结亚微米碳化硅粉末加入游离硅(含量小于12%)在1500℃真空烧结炉与游离硅反应烧结而成。其材料增加了润滑性、摩擦系数小、耐磨性、可塑性强等特点,其密封环最大外径可达800mm。被广泛运用于轴承、石油、化工、汽车、船舶、泵阀等领域。

 

 

 

特点

反应烧结碳化硅材料晶像图。在材料平整光滑的断切面经过化学处理,在200X光学显微镜下的晶体的分布均匀、大小匀称,游离硅含量(不超过12%)。

反应烧结碳化硅材料技术参数

Reaction Bonded Silicon Carbide Technical Data

项目

Operating Limits

单位

Units

SiC
体积密度

Volume Density

g/cm³ 3.03

维氏硬度

Vickers Hardness

HV0.5 2000

洛氏硬度

Rockwell Hardness

HRA 90
显气孔率

Indicated Parosity

% <0.2
抗压强度

Compressive Strength

Mpa 2000
弯曲强度

Transverse Strength

Mpa 350
弹性模量

Elastic Modulus

Gpa 350
导热系数

Thermal Conductivity

W/m*k 30~130
最高使用温度

Maximum Temperature

1000
线热膨胀系数

Coefficient Of Heat Expansion

10-6*1/℃ 4.0-5.0
表面气孔率

Porosity

个/5c㎡ 5
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